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第111章 秦氏实验模型 (第2/2页)

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关于单晶硅的结构稳定性、晶格缺陷、电子输运等方面的重要信息。

这样的计算模拟不仅可以更好地理解单晶硅的基本特性,还可以指导材料�

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